スパッタ/蒸着/めっき|株式会社テクニスコ
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メタライズ

スパッタ

スパッタによりガラス、セラミック、シリコン等にパターン作製が可能です。
・スパッタの成膜構成:Ti/Pt/Au、Cr/Pt/Au、Cr/Ni/Au
 
セラミック上へのメタライズ   ガラスウェーハ スパッタ前(左)とスパッタ後    
セラミック上へのメタライズ   ガラスウェーハ
スパッタ前(左)とスパッタ後
   
 
 
 
この技術を使用する製品
マイクロチャンネルクーラー
マイクロチャンネルクーラー
 
絶縁型Cu-AlN-Cuサブマウント
絶縁型Cu-AlN-Cuサブマウント
 
高耐圧型
シームレスマイクロチャネル
高耐圧型シームレスマイクロチャネル
 
マウント/キャリア
マウント/キャリア
 
CuWサブマウント
CuWサブマウント
 
ガラス貫通配線基板(TGV)
ガラス貫通配線基板(TGV)
 
小径穴ガラス
小径穴ガラス
 
キャビティーガラス/
キャップガラス
キャビティーガラス
 
メッシュガラス
メッシュガラス
 
  
PAGETOP
 

蒸着

金属やセラミックの単体部品だけでなく、組立部品へのAuSn蒸着も可能です。 半導体レーザー等への高品質接合が可能となり、お客様の製品の耐久性を向上させることができます。
 
マイクロチャンネルクーラー   マウントキャリア    
マイクロチャンネルクーラー   マウントキャリア    
 
 
 
この技術を使用する製品
CuWサブマウント
CuWサブマウント
 
絶縁型Cu-AlN-Cuサブマウント
絶縁型Cu-AlN-Cuサブマウント
 
 
 
 
PAGETOP
 

めっき

ガラス、セラミック、シリコン等にめっきでパターン作製が可能です。
・金や銅の厚さ数十μmレベルの部分めっきも平面、凹凸問わず対応可能です。
 
ガラスのブラスト貫通穴へスパッタとめっきにより貫通電極を形成し、シリコンデバイスの封止が可能です。  

 部分めっきによるバンプ形成

   
ガラスのブラスト貫通穴へスパッタとめっきにより貫通電極を形成し、シリコンデバイスの封止が可能です。   部分めっきによるバンプ形成    
 
 
 
この技術を使用する製品
マイクロチャンネルクーラー
マイクロチャンネルクーラー
 
絶縁型Cu-AlN-Cuサブマウント
絶縁型Cu-AlN-Cuサブマウント
 
高耐圧型
シームレスマイクロチャネル
高耐圧型シームレスマイクロチャネル
 
マウント/キャリア
マウント/キャリア
 
CuWサブマウント
CuWサブマウント
 
ガラス貫通配線基板(TGV)
ガラス貫通配線基板(TGV)
 
小径穴ガラス
小径穴ガラス
 
キャビティーガラス/
キャップガラス
キャビティーガラス
 
メッシュガラス
メッシュガラス
 
 
 
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