ガラスへの貫通配線によりデバイスの小型化が可能
|
● |
シリコンウェーハと陽極接合が可能 |
|
接着剤を使用しない工程によりアウトガス問題を解消 |
|
● |
優れた高周波特性 |
|
・ |
低浮遊容量(対TSV) |
・ |
低インダクタンス |
・ |
低電気抵抗(金属ロッドを採用) |
|
|
|
MEMSデバイスのWL-CSPに最適
|
● |
高精度なViaピッチ精度が可能 |
|
・ |
累積ピッチ <±20μm/φ200 mmウェーハ |
・ |
累積Via間 <±20μm |
|
|
|
|
標準仕様 |
材 料 |
テンパックス、SW-YY |
ガラスサイズ |
≦φ200mm |
最小厚み |
0.3mm |
最小穴径 |
φ0.15mm |
穴径公差 |
±0.02mm |
最大アスペクト比 |
1 : 5 |
Via材料 |
Si、W(タングステン) |
Via気密性能 |
1×10-9 Pa・m3/s |
ガラス−Via段差 |
標準 |
0μm〜3.0μm |
オプション1 |
0μm〜1.0μm |
オプション2 |
-3.0μm〜0μm |
Via形状 |
ストレート |
キャビティー加工 |
可能 |
メタライズパターン |
可能 |
バンプ形成 |
可能 |
|
※上記標準仕様以外のご要望については、別途ご相談下さい。 |