絶縁型Cu-AlN-Cuサブマウント
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| 概要 |
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高出力LD モジュールヒートシンク用途のサブマウントです。Cu-AlN-Cuの3層構造により、高熱伝導率と絶縁性を両立しています。また、熱膨張率においても、Cuめっき部の厚みを最適値にコントロールすることにより、LD素子とのCTEマッチングが可能で高出力化、長寿命化を可能とします。なお、形状においても、クリティカルエッジ部に対してはプルバックがないため、 自由度の高い設計が可能です。
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特長
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●高熱拡散性と高熱伝導率を実現し、絶縁性を確保
・CuとAlNの複合構成とし、高熱伝導率と絶縁性を両立
●熱膨張係数(CTE)をコントロール
・CuとAlNの厚みを最適値に設定し、LD素子との
CTEマッチングが可能
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●マルチエミッター用途に最適
●LD搭載面クリティカルエッジ部のプルバックなし
・Pサイドダウン型LDに最適
●AuSn・AuGeはんだ蒸着対応が可能
●シャープエッジによりLDのアライメント性を向上
・エッジR 20μm以下 |
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| 特性比較データ<参考値> |
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単位 |
Cu-AlN-Cu |
AlN |
CuW（10/20） |
| 材料特性 |
− |
絶縁性 |
絶縁性 |
導電性 |
| 熱伝導率 |
W/m・K |
190〜250※ |
170 |
180/200 |
| 熱膨張率 |
ppm/℃ |
6〜10※ |
4.6 |
6.5/8.3 |
| 電気抵抗率 |
Ω・m |
- |
- |
5.3/4.0 (×10-8) |
| 最大使用電圧 |
V |
<200 |
<200 |
NA |
| 比誘電率（@1MHz ） |
- |
9 |
9 |
NA |
| 誘電体損失（ Tanδ ） |
- |
5×10-4 |
5×10-4 |
NA |
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| ※設計によりコントロールが可能 |
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市場・用途
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| 産業用レーザー |
| ・ |
溶接、切断、マーキング、表面処理(アニール等)用レーザー機器など |
| ・ |
医療用レーザー機器(眼科治療、脱毛処理)、内視鏡など |
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