通过贯通孔配线可使产品小型化
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●可与硅晶片的正极键合。 因不使用粘合剂,从而解决了外部气体的问题 |
●优良的高频特性 |
・低浮游容量(对TSV) ・低电感 ・低电阻(使用金属棒) |
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最适合于MEMS的WL-CSP
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●可以达到高精度的via间距 |
・累积间距 <±20μm/φ200 mm晶片 ・累积via间距 <±20μm |
●对应尺寸:最大为φ200 mm 晶片 |
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标准规格 |
材 料 |
BF33,、SW-YY |
玻璃尺寸 |
≦φ200mm |
最小厚度 |
0.3mm |
最小Via径 |
φ0.15mm |
Via径公差 |
±0.02mm |
最大孔深孔径比 |
1 : 5 |
Via材料 |
Si、W(钨) |
Via密封性 ( He leak test ) |
1×10-9 Pa・m3/s |
Via-玻璃高底差 |
标准 |
0μm〜3.0μm |
选项1 |
0μm〜1.0μm |
选项2 |
-3.0μm〜0μm |
Via形状 |
直的 |
内腔加工 |
可能 |
金属化加工 |
可能 |
金属球状电极形成 |
可能 |
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※上述标准规格以外的要求,可通过其他途径进行商讨 |